正文 第355章 李晓凡的追赶IBM计划与诺贝尔物理奖技术

的项目了!”

“哦,李总,难道您打算投资硬盘?”毛思明博士问道。

“不,硬盘的事情先放一放。我想先聘请您去新加坡科学园建立一个磁传感芯片与介质研发中心,先开发类似美国NVE公司的产品……”

“先搞磁传感芯片与传感器?”毛思明博士皱眉道。

“是的,考虑到法律上的竞业禁止条款,我的设想我们在新加坡科学园先从磁传感器芯片和传感器产品切入。但是您带领的新团队主要精力将是研究巨磁电阻GMR磁头技术!”

毛思明博士惊道:“李董,你对巨磁电阻GMR技术也有研究?”

纵观全球的磁性传感技术,有大概四个阶段:

第一代:HallEffect霍尔效应。

第二代:AMR各向异性磁电阻传感

第三代:GMR巨磁电阻传感器

第四代:TMR隧道磁电阻传感器

李晓凡笑道:“有所耳闻吧,再说读了您去年底的两份报告,多少有点了解……”

前世,2007年诺贝尔物理学奖分别授予来自德国于利希亥姆霍兹研究中心的彼得·格林贝格尔和来自法国巴黎第十一大学的阿尔贝·费尔教授。

因为这两位获奖者在上世纪80年代独立进行巨磁电阻GMR技术研究,因相继发现巨磁阻GMR效应而双双荣获本年度诺贝尔物理学奖!

巨磁电阻GMR效应自八十年代发现以来,立即引起各国企业界及学术界的高度重视,巨磁电阻GMR效应成为当下凝聚态物理5个热点之一。

就在前年的1994年,美国的NVE公司首先实现巨磁电阻GMR效应的产业化,开始销售巨磁电阻GMR传感器。这家公司后2003年在纳斯达克上市。

前世,在1998年美国的IBM公司成功地把巨磁电阻GMR效应应用在计算机硬盘驱动器上,研制出巨磁电阻GMR效应磁头。

但是,前世就在IBM研制出来巨磁电阻GMR效应磁头不久,毛思明博士在希捷公司先后领衔开发了第三代GMR(巨磁阻磁头)和第四代TMR(隧道磁阻磁头)等新一代磁读出头及传感器,被业界誉为“磁头之父”。他带领团队研发多项行业内的“第一技术”,成功帮助希捷在该行业取代了IBM的市场地位!

前世,也正是因为毛思明博士的强大实力,后来被希捷的竞争对手西部数据高薪挖走担任西部数据公司的研发副总裁,引发后来的一系列诉讼……

所以,当下李晓凡的策略是先把毛思明博士聘请去新加坡科学园建立一个磁传感芯片与介质研发中心,表面上从事与美国NVE公司一样的传感芯片研究。

实际上真正的目的是研发电脑硬盘上使用的核心部件:巨磁电阻G

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