面积的要求，也越来越小，那么，意味着芯片制程就就越来越高，

大深市芯片产业有限公司，作为一家芯片设计公司，是十分关注芯片制程的问题，从1996年，公司研发出500nmFM芯片，再到1999年，研发出手机芯片，就越来意识到芯片制程是非常重要…，

希望目前芯片制程能力，做到65纳米，45nm，甚至是28nm以下…。

…

众所周知，要想提高芯片制程的能力，光刻技术就特别重要了，就需要每年把光刻机的曝光关键尺寸（CD）降低30%-50%。根据公式：CD=k1（λ/NA），降低波长λ，提高镜头的数值孔径NA，降低综合因素k1。

以目前的光刻机技术，直接降低波长λ，是最直接的办法，为了降低光源的波长，全球光刻机厂商都投入巨资，研发下一代光刻机光源技术，

…

根据目前全球的光刻机技术，其中，尼康投入巨资研发出波长更低的157nmF2准分子激光做为光源，但是，被现有193nm机器用的镜片吸收，造成分辨率等问题，并且，光刻胶也要重新研制，所以改造难度极大，而对193nm的波长进步只有不到25%，研发投入产出之间的比例，是非常之低…

可以说，变动时非常大的。基本从目前193nm光刻技术上推倒重来。

还有就是，由米国组织的EUV联盟，而这个联盟是由英特尔，AMD，摩托罗拉，ASML，英飞凌等企业组成，正在验证了EUV光刻机的可行性…。

…

相对以上的两种光刻机技术方案，都不是最优的，特别是EUV联盟，所主导的EUV光刻机方案，以目前的技术是非常难以实现，并且，是需要巨额的资金，没有一家公司能承受…。

…

那么，以目前的光刻技术193nmArF光源的干法光刻机，作出简单的更改，就能把光源波长降低，

降低光源的波长，可以在镜头与晶圆曝光区域之间的介质从空气换成水，由于水的折射率大约为1.4，那么波长可缩短为193/1.4=132nm，大大超过攻而不克的157nm，完全可以实现45nm，甚至是28nm以下制程。

其工作原理就是：利用光通过水介质后光源波长缩短来提高分辨率，而浸没式光刻机采用折射和反射相结合的光路设计。这种设计可以减少投影系统光学元件的数目，控制像差和热效应，实现光刻技术…

…

根据以上的数据，浸入式光刻机，可以说属于轻微地改进，能产生巨大的经济效应，其光刻机的产品成熟度是非常高的，

…

…

不过，顺便说一下，由米国组织EUVLLC联盟，是