gan这么高的位错密度不可能发强光。

因此，世界上研究蓝光led的科学家中，选择znse的超过了一万人，而选择gan的不到10人。

为了解决gan的合成问题，剩余的这十名科学家，分别开始了独自的尝试。

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赤崎教授，选择了晶体结构和gan接近，但是晶格常数失配的蓝宝石作为衬底材料，进行gan的异质外延。

由于晶格失配，gan外延层和蓝宝石衬底之间存在失配应力，应力的释放会导致gan内部产生大量缺陷。这样的材料无法应用于器件。

但这个问题，在1985年，被赤崎教授的弟子，天野浩解决，这就是著名的两步法。

步骤是，在蓝宝石衬底上先生长一层aln缓冲层，再将温度升高生长gan。

由于缓冲层释放了gan和蓝宝石之间的失配应力，这种“两步法”生长技术使得gan的晶体质量显著改善，满足了器件制作的基本要求。

这个方法的发现，差不多历时前后5年，师生两个人接力，才算搞定。

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按理说，一般的科学研究工作者，进行某项研究的思路，都是踏着前人留下的足迹前进。尤其是没有达到终点之前。

因为改变前人，甚至推翻前人的工作，完全是得不偿失。

例如两步法的发现，就用时差不多四五年时间。换个人来研究，是不是也要准备个几年时间？

这怎么选择，不是一目了然嘛！

但大侠就是大侠，中村拿到这个论文后，不是继续往下研究，而是放飞自我。

他决定试试在缓冲层中采用gan而非aln的方法。

具体思路是在低温生长的非结晶状态的gan膜之上，在高温条件下生长出gan单晶膜。只要这个取得成功，就可以制出与在底板上直接生长单晶gan膜相同的构造。

按照这个思路，中村进行了尝试。

结果嘛，一次成功！

这种方法的核心，是采用了低温gan缓冲层替代了aln缓冲层。这一基于低温gan缓冲层的“两步法”工艺，成为日后工业界生长gan基led的标准工艺。

当然了，做出这步改良的理