在这个阶段（1微米），它还不是个问题。阻碍晶圆工艺进步的主要原因，来自生产设备，工艺，而不是原理。

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任何事情都有利有弊。

这种技术的优点非常突出。那就是不需改变现有设备，或者是做很少的改变，就可以达到提高晶圆工艺的要求。

但弊端也很突出。

第一个弊端，麻烦。

这个技术的思想雏形，第一次出现在130nm阶段，第一次完整出现，则是在30nm阶段。

为什么出现得这么晚？

每道图层，都要进行分解，想想就麻烦得很啊。这个方法，完全是没有办法的办法。

换个高精度的光刻机及其配套工艺，一下子不就解决了嘛！这也是在30nm之前，基本上无人往这个方向思考的原因。

其次，成本。

加工一块芯片所需要的加工工序数目增加了。原来一次加工的步骤，现在要两次，甚至四次才可以。

这在商用芯片的制造上，是很致命的。

例如，如果只采用一次加工，良品率为7成。这完全是个可以接受的数字。但是当一次加工，改成四次加工的时候，整个工艺的良品率就会下降到2成。

多重图案法的核心，是把一张图片分解成多张。这里还会存在分图片互相校准的问题。所以，在实际的生产过程中，采用这种工艺以后，其良品率会极大降低。

用刚才的例子数据来计算，良品率，会从7成，下降到不到一成！

英特尔之所以在10nm节点，耗费了接近5年的时间，跟他们的多重四图案曝光（saqp）良率较低，有关系。

对于一个芯片厂来说，良品率就是他们的饭碗。

如果在14nm的时候，芯片成本是300美元。升级芯片生产工艺的目的，自然是因为进程越高，占用的晶圆面积越小。采用新工艺后，芯片的生产成本，也自然降低。同样功能芯片，它的成本在10nm时代，应该降为150美元才对。

但这种工艺，增加了工序的数目，实际上已经增加了芯片的加工成本。再加上良品率的问题，采用新方法生产出来的芯片，弄不好成本还高于300美元了。

在这种情况下，为什么要量产10nm?

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